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　　UL7308

　　功率电感,Power Inductor,10 uH,±20 %,DCR=0.69 ohm,550 mA,32 MHz,450 mA,Wire-Wound,2.4×2.4×1.0 mm,N/A,NRH2410T100MN,TAIYO YUDEN

　　PVZ2A504A04R00

　　74V1T126STR

　　LDB32947M05D-460

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　　T495D107K016AHE125，T495D107K016AHE125，T495D107K016AHE125

　　1226AS-H-4R7M=P2

　　ATMEL120

　　T495C106M010ZTA2K47280，T495C106M010ZTA2K47280，T495C106M010ZTA2K47280

　　DISCRETE

　　IPD 13N03LA G

　　74AHC1G126GW

　　SN74AHC1G125DBVR

　　ON4832

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　　电感,Inductor,1.0 nH,±0.1 nH,DCR=0.08 ohm,520 mA,0201,MultiLayer,N/A,SDCL0603Q1N0BT02B01,SUNLORD

　　CMI321609X100K

　　ind SDCL1005C1N2STDF 精度为+-0.3NH

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　　BSS 131

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　　STV0987/TR

　　内存芯片,MCP Memory,NAND Flash+Mobile DDR SDRAM,2Gb (128M x16)+1Gb (64M x16),153-ball FBGA,8×9×1.0mm,0.50 mm,1.8 V,N/A,K522H1HACF-B050,SAMSUNG

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　　深圳市铭盛电子科技有限公长期收购IC，二、三极管、大小功率管、场效应管、、三端稳压、整流桥、光耦、继电器、变压器，钽电容、电感、磁珠、电容等库存呆滞电子料！

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